PERT მზის უჯრედი | ყველაფერი რაც თქვენ უნდა იცოდეთ
PERT მზის უჯრედი | ყველაფერი რაც თქვენ უნდა იცოდეთ
PERT მზის ბატარეები მაღალი ხარისხისაა სუპერ მაღალი ეფექტურობის მზის ენერგიის ტექნოლოგიებს შორის, რომლებიც შეიძლება ჩართული იყოს მონო-სახის და ორმხრივი მზის უჯრედების დიზაინში.
მიუხედავად იმისა, რომ PERT მზის უჯრედების წარმოება უფრო ძვირია, ვიდრე მათი ჩვეულებრივი სილიკონის კოლეგები და ძირითადად გამოიყენება ნიშან ინდუსტრიებში, როგორიცაა მზის მანქანები ან კოსმოსური აპლიკაციები, მზის უჯრედების ყველა მწარმოებელი ცდილობს ააშენოს და გაყიდოს ისინი მაღალი დონის მინიჭების მიზნით. და ხარისხიანი გადაწყვეტილებები მათი მომხმარებლებისთვის. ორმხრივი მზის უჯრედები უზარმაზარ პოპულარობას იძენს. თუ კარგად განლაგებულია ღია რეგიონებში ან ბრტყელ ზედაპირებზე, მათ შეუძლიათ შთანთქას სინათლე და შეუძლიათ გამოიმუშაონ ელექტროენერგია ორივე ზედაპირიდან - 30%-მდე გაზრდილი გამოსავლით, ვიდრე თქვენი ჩვეულებრივი უჯრედები.
PERT მზის უჯრედები: როგორ მუშაობენ ისინი?
PERT ნიშნავს პასივირებული ემიტერი უკანა მთლიანად დიფუზური უჯრედები. მათ აქვთ დიფუზური უკანა ზედაპირი, რაც მკვეთრი ცვლილებაა ჩვეულებრივი კოლეგებისგან, რომლებიც იყენებენ ალუმინის შენადნობის BSF-ს. მარტივად რომ ვთქვათ, p-ტიპზე დაფუძნებული ვაფლის ემიტერი იქმნება ფოსფორის დიფუზიით და BSF მიიღწევა p-PERT-ში ბორის დოპინგით.
PERT უჯრედები იმუნურია სინათლის მიერ გამოწვეული ობლიტერაციის მიმართ და შეუძლიათ შეეგუონ ბიფაციალური უჯრედის ფორმას. ამან ახლახან გამოიწვია მზის PV სექტორისა და კვლევითი უნივერსიტეტების ინტერესი. PV მეცნიერები ცდილობენ უჯრედების ალტერნატიულ არქიტექტურებს, რათა გაზარდონ ინდუსტრიულად გამოსაყენებელი Si მზის უჯრედების ეფექტურობა - განსაკუთრებით ახლა, როდესაც ძალზე რელევანტური PERC სტრუქტურა, როგორც ჩანს, მიაღწია ძალაუფლების ტრანსფორმაციის ეფექტურობის ზღურბლს.
PERT მზის უჯრედების ეფექტურობა
AM1.5 სპექტრის ნორმალური პარამეტრებით 25°C ტემპერატურაზე, მაღალი ეფექტურობის პასივირებული ემიტერი; პასივირებული ემიტერი უკანა მთლიანად დიფუზური უჯრედებმა მიაღწიეს ენერგიის გარდაქმნის ეფექტურობას დაახლოებით 25 პროცენტით. ეს არის ენერგიის კონვერტაციის ეფექტურობის ყველაზე პერსპექტიული მაჩვენებელი, რომელიც ოდესმე დაფიქსირებულა სილიკონის უჯრედისთვის, რომელიც დაფუძნებულია არა-FZ სილიკონის სუბსტრატზე. ბორის ზომიერი დიფუზია PERT უჯრედის უჯრედის სტრუქტურაში არა მხოლოდ ამცირებს უჯრედის სერიის წინააღმდეგობას, არამედ აძლიერებს მის ღია წრეში ძაბვას.
PERC, რომელიც ნიშნავს პასიური ემიტერის უკანა საკონტაქტო სტრუქტურას, აქვს ლოკალიზებული უკანა ზედაპირის ველი, რომელიც არის ძირითადი დიფერენციატორი p-ტიპის PERC-სა და n-ტიპის PERT-ს (BSF) შორის. BSF-ის მოპოვება ხდება ლითონის თანასროლის ოპერაციების დროს Al-ის დოპინგით Si-ში. P-ტიპის Si ბაზის ვაფლთან მაღალი-დაბალი კავშირის დამყარებით, BSF ხელს უწყობს მზის უჯრედების ეფექტურობის გაუმჯობესებას. უმცირესობის მორბენალი მოგერიებულია ამ ბმულით, რაც ხელს უშლის მათ ხელახლა დაკავშირებას Si ვაფლის უკანა ზედაპირზე.
პირიქით, PERT სტრუქტურის უკანა ზედაპირი "სრულად დიფუზურია" ბორით (p-ტიპი) ან ფოსფორით (n-ტიპი). PERT მზის უჯრედების ტექნოლოგია ყველაზე ხშირად გამოიყენება n ტიპის Si უჯრედებში. ეს არის ის, რომ ისარგებლოს ლითონური დაბინძურებისადმი უმაღლესი შემწყნარებლობით, დაბალი ტემპერატურის კოეფიციენტით და n-ტიპის Si ვაფლების შემცირებული შუქით გამოწვეული შემცირებით p-ტიპის Si ვაფლებთან შედარებით. იმის გამო, რომ n-ტიპის ვაფლის დიდი ნაწილი დატვირთულია ფოსფორით, სინათლის მიერ გამოწვეული რღვევა მინიმუმამდეა დაყვანილი n-ტიპის Si-ში, სავარაუდოდ, ბორის-ჟანგბადის დაბალი წყვილების გამო.
ამის მიუხედავად, "მთლიანად დიფუზური" BSF მოითხოვს ინოვაციური მეთოდების გამოყენებას, როგორიცაა მაღალი ტემპერატურის POCL და BBr3 დიფუზია. შედეგად, PERT მზის უჯრედების წარმოება უფრო ძვირია, ვიდრე PERC.
მიუხედავად ამისა, პასივირებული ემიტერი უკანა მთლიანად დიფუზური უჯრედების მთლიანი ფართობის BSF შეიძლება იძლევა უფრო ეფექტურ მაღალ-დაბალი შეერთების პასივაციის გადმოცემას, ვიდრე PERC-ის შეზღუდული, უფრო უხეში Al-ზე დაფუძნებული BSF. გვირაბის ოქსიდის პასივირებული კონტაქტის სტრუქტურა (TOPCON) ასევე შეიძლება ინტეგრირებული იყოს n ტიპის PERT-თან. მას აქვს უნარი კიდევ უფრო გაუადვილოს მოწყობილობის გამომავალი.
Si სუბსტრატის ბუმბულის გახანგრძლივებული უმცირესობის სიცოცხლის ხანგრძლივობით და BO კომპლექსთან დაკავშირებული დეგრადაციის გარეშე, N- ტიპის სილიკონის მზის უჯრედები სტაბილურად მაღლა იწევს პოპულარობის სქემებში. დამუშავების სიმარტივის გამო, ბიფაციალური პასივაციის ემიტერი და PERT n-ტიპის მზის უჯრედები არის ძალიან ეფექტური გადაწყვეტილებები, რომლებიც შეიძლება ადვილად ინდუსტრიალიზაციას. P+ ემიტერების თაობა იყო ერთ-ერთი საყურადღებო PERT ტექნიკა. წლების განმავლობაში, BBr3 დიფუზია შეიქმნა მასობრივი წარმოებისთვის, მაგრამ n ტიპის მზის უჯრედების ინდუსტრიალიზაცია შეფერხებულია დოპანტური ჰომოგენურობისა და პროცესის ინტეგრაციის გამო. ბორის მელნის დაწნული საფარის და POCl3 დიფუზიის კომბინაცია n-PERT მზის უჯრედებში შესწავლილი და დოკუმენტირებული იყო კვლევითი ნაშრომი. აღმოჩენების თანახმად, მზის ბატარეები, რომელთა ბიფაციალურობა 90 პროცენტზე მეტია, ეფექტურობა 20.2 პროცენტზე მეტია.
n ტიპის ორმხრივი PERT მზის ელემენტი შეიძლება წარმოიქმნას პროცესის ნაკადის გამოყენებით, რომელიც მოიცავს იონების იმპლანტაციას ცალმხრივი დოპინგისთვის. ეს იწვევს ემიტერის შეერთების გამორჩეულ ხარისხს და თანმიმდევრულობას.
PERT მზის უჯრედებს აქვთ რამდენიმე უპირატესობა, რომელთა უმეტესობა ჩამოთვლილია ქვემოთ:
● PERC-ის მზის უჯრედებისგან განსხვავებით, PERT ვერსია აღწევს მაღალ ეფექტურობას მულტიმასალაზე პასივაციის გზით, ანუ ბორის BSF PERT მრავალ ჭერზე, რომელსაც არ გააჩნია სინათლის გამოწვეული დეგრადაცია (LID).
● საკუთრების ღირებულება იგივეა, რაც PERC უჯრედებისთვის.
● PERT ხაზი ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას მონო-სახის ან ორსახოვანი უჯრედებისთვის, რაც მას უამრავ მრავალფეროვნებას ანიჭებს.
PERT მზის უჯრედები იწარმოება სხვადასხვა ინოვაციური მეთოდებისა და კომბინაციების გამოყენებით უჯრედების განსხვავებული ტიპების ოპტიმიზაციისთვის. ათ წელზე მეტი ხნის განმავლობაში, ახალი ჭკვიანი ტექნოლოგიები, როგორიცაა ატმოსფერული წნევის ქიმიური ორთქლის დეპონირების სისტემები (APCVD) მიეძღვნა წარმოებას საქონლის მაღალი მისაღებობის მისაღებად. გარდა ამისა, ჰორიზონტალური მილის ღუმელის გამოყენებით, ფოსფორის ემიტერი და ბორის BSF გამოიყოფა ერთ სითბოს ციკლში, რაც იწვევს ციკლის ხანგრძლივობას. იმიტომ რომ პასივირებული ემიტერი უკანა მთლიანად დიფუზური უჯრედები ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას ტრადიციულ უკანა ფურცელ მოდულებში, წარმოების ხაზის ხელახალი კონფიგურაცია მონო-სახიდან ორსახიან წარმოებაზე გადასვლა მხოლოდ რამდენიმე საათის სამუშაოა.